[发明专利]动态随机存储器的缺陷修补方法无效
| 申请号： | 200710042414.0 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101329917A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 孙强;陈宏璘;仇圣棻;阎海滨;李友 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种动态随机存储器(DRAM)的缺陷修补方法。现有动态随机存储器中存在缺陷影响动态随机存储器性能的问题。本发明的动态随机存储器的缺陷修补方法包括形成内层介电层沉积于DRAM单元上，然后对内层介电层进行深度化学机械抛光，抛光后在DRAM单元表面上沉积保护层。采用本发明的动态随机存储器的缺陷修补方法能实现缺陷与外部隔离，使缺陷不被进行曝光、显影、蚀刻等制程，从而提高了动态随机存储器产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机 存储器 缺陷 修补 方法 | ||
【主权项】：
1、一种动态随机存储器的缺陷修补方法，至少包括以下步骤：形成内层介电层沉积于动态随机存储器单元上；对内层介电层进行深度化学机械抛光；在动态随机存储器单元表面沉积保护层。
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