[发明专利]动态随机存储器的缺陷修补方法无效
| 申请号： | 200710042414.0 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101329917A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 孙强;陈宏璘;仇圣棻;阎海滨;李友 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 动态 随机 存储器 缺陷 修补 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种动态随机存储器的缺陷修补方法，至少包括以下步骤：
形成内层介电层沉积于动态随机存储器单元上；
对内层介电层进行深度化学机械抛光；
在动态随机存储器单元表面沉积保护层。
2、如权利要求1所述的动态随机存储器的缺陷修补方法，其特征在于：所述保护层为内层介电层。
3、如权利要求2所述的动态随机存储器的缺陷修补方法，其特征在于：所述内层介电层为二氧化硅、氮化硅、NO(氮化硅/二氧化硅)、ONO(二氧化硅/氮化硅/二氧化硅)的一种。
4、如权利要求1或5所述的动态随机存储器的缺陷修补方法，其特征在于：所述保护层通过化学气相沉积方法沉积。
5、如权利要求1所述的动态随机存储器的缺陷修补方法，其特征在于：所述的缺陷为微尘粒子缺陷，经过化学机械抛光后变为痕迹。
6、如权利要求1所述的动态随机存储器的缺陷修补方法，其特征在于：所述动态随机存储器为堆栈式动态随机存储器。
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