[发明专利]近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In₂O₃:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为300－350℃条件下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有多晶结构的In₂O₃:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围(700－2500nm)高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在太阳能电池领域具有良好的应用前景。

主权项

1.一种近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜，其特征在于是一种掺杂氧化铟薄膜In2O3:M，M为W或Mo，由直流磁控测射方法制备获得，其中，钨和钼以六阶态离子存在薄膜之中，薄膜厚度为80-150nm，具有高载离子迁移率，自由载流子浓度低于2×1020cm-3，可见光区域的平均透射率高于80％，近红外区域的平均透射率大于90％。