[发明专利]半导体存储器的写入方法有效
| 申请号： | 200710041097.0 | 申请日： | 2007-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312072A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 缪威权;陈宏领;周第廷;闻华;俞苔云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器的写入方法，提供半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，包括，在存储器的栅极施加第一电压；在存储器的源极施加第二电压；在存储器的漏极施加第三电压，并逐渐递减；在存储器的半导体衬底施加第四电压。本发明半导体存储器减小了写入扰乱，防止了存储器的损坏，减少了写入时间，增加了写入操作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器的写入方法，提供半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，包括，在半导体存储器的栅极施加第一电压；在半导体存储器的源极施加第二电压；在半导体存储器的漏极施加第三电压，并逐渐递减；在半导体存储器的半导体衬底施加第四电压。
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