[发明专利]减小霍尔集成电路失调电压方法及其装置

摘要

一种减小霍尔集成电路失调电压方法，是将霍尔单元阵列位于芯片中心部分，其他为霍尔单元服务的电路器件置于霍尔单元阵列的周围，并将霍尔单元并联联接，每个霍尔单元周边被重掺杂所形成的隔离带和外延层所包围。所涉及的装置包括一半导体P型基层衬底，以及在半导体P型基层衬底上生长轻掺杂的半导体N型外延层。在半导体N型外延层上还置有被重掺杂的半导体P型隔离带，该隔离带将半导体N型外延层分割成至少三块孤立的霍尔单元，且霍尔单元呈中心对称排列的阵列。本发明可使得霍尔器件受芯片边缘的应力和压力等的影响趋于一致，使得霍尔单元失调电压受霍尔单元周围的其它器件影响更小，并使霍尔单元受制造工艺的偏差影响趋于一致，匹配性更好。

主权项

1、一种减小霍尔集成电路失调电压方法，其特征在于：将霍尔单元阵列位于芯片的中心部分，其他为霍尔单元服务的电路器件置于霍尔单元阵列的周围，并将霍尔单元阵列中的霍尔单元并联联接，每个霍尔单元的周边被重掺杂所形成的隔离带和外延层所包围。