[发明专利]减小霍尔集成电路失调电压方法及其装置

权利要求书

1.一种减小霍尔集成电路失调电压方法，其特征在于，将霍尔单元 阵列位于芯片的中心部分，其他为霍尔单元服务的电路器件置于霍尔 单元阵列的周围，并将霍尔单元阵列中的霍尔单元并联联接，每个霍 尔单元的周边被重掺杂所形成的隔离带和外延层所包围。

2.一种装置，使用如权利要求1所述的减小霍尔集成电路失调电压 方法，该装置包括一半导体P型基层衬底，以及在半导体P型基层衬 底上生长轻掺杂的半导体N型外延层，其特征在于：在半导体N型外 延层上还置有被重掺杂的半导体P型隔离带，该隔离带将半导体N型 外延层分割成至少三块孤立的霍尔单元，且霍尔单元呈中心对称排列 的阵列，各霍尔单元之间并联联接。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述的霍尔单元的周 边还被外延层所包围。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述的霍尔单元的周 边置有其他为霍尔单元服务的电路器件。

5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述的霍尔单元形状 为平面几何形状。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述的霍尔单元为矩 形或平行四边形或三角形或扇形或圆形。

7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述的霍尔单元的周 边还置有能使其性能趋于均衡的缺口。