[发明专利]ICP等离子体反应器中控制硅槽和二氧化硅厚度的方法无效
| 申请号： | 200710037950.1 | 申请日： | 2007-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101261939A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 马卓娜;蒋维楠;林俊毅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/3065;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ICP等离子体反应器中控制硅槽和二氧化硅厚度的方法，将半导体晶圆上的多晶硅栅极进行光阻去除处理后放置于感应耦合等离子体反应器中、在没有加载射频偏压电源的条件下注入活性蚀刻气体对半导体晶圆进行各向同性蚀刻形成硅槽、然后在加载射频偏压电源的条件下注入氧气等离子体在半导体晶圆表面形成二氧化硅保护层。采用该种ICP等离子体反应器控制硅槽深度和二氧化硅保护厚度的方法，实现了独立有效地控制硅槽深度和二氧化硅层的厚度，提高了半导体器件的电特性，成品率高，工作性能稳定可靠，制造成本较低；能够广泛应用于0.13μm工艺处理中，应用范围广泛，为半导体制造工艺的进一步发展奠定了坚实的基础。 | ||
| 搜索关键词： | icp 等离子体 反应器 控制 二氧化硅 厚度 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种ICP等离子体反应器中控制硅槽深度和二氧化硅保护层厚度的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：(1)将经过光阻去除处理后的多晶硅栅极晶圆放置于感应耦合等离子体反应器中；(2)先在没有加载射频偏压电源的条件下注入活性蚀刻气体对半导体晶圆进行各向同性蚀刻，并形成硅槽；(3)然后在加载射频偏压电源的条件下注入氧气等离子体，在半导体晶圆表面形成二氧化硅保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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