[发明专利]防止氟掺杂氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法无效
| 申请号： | 200710037467.3 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246823A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 鲍震雷;曹涯路;赵东涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防止氟掺杂氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，涉及半导体器件制造工艺。在现有的工艺中，当表面沉积有氟掺杂氧化膜的晶圆暴露在含有水汽的环境中时，在很短的时间内(一般几个小时)，晶圆表面会形成晶体状缺陷，导致晶圆产率的下降。本发明的防止氟掺杂氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，在晶圆表面完成氟掺杂氧化膜的沉积后，采用pH值介于5～7的弱酸对该晶圆执行一清洗步骤。采用该方法可使氟离子与弱酸电解产生的氢离子结合形成氢氟酸，从而氢氟酸在清洗过程中可直接挥发掉或者被水冲洗掉，有效减少了晶圆表面氟离子的数量，使得清洗后的晶圆即使长时间暴露在含有水汽的环境中也不会形成晶体状缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 掺杂 氧化 表面 产生 晶体 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种防止氟掺杂氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，其特征在于：所述方法在晶圆表面完成氟掺杂氧化膜的沉积后，采用PH值介于5～7的弱酸对该晶圆执行一清洗步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
