[发明专利]一种利用界面氧化层制备NiSi/Si肖特基二极管的方法无效
| 申请号： | 200710037274.8 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101038876A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉龙;黄益飞;茹国平;屈新萍;李炳宗 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备NiSi/Si肖特基二极管的新方法。该方法步骤是，在衬底硅片经标准RCA清洗并用稀释的HF酸去除本征氧化层后，在利用掩膜版溅射淀积金属镍电极之前，采用化学氧化工艺在硅片表面生长一层硅的氧化物层；然后在金属镍电极淀积之后对硅片进行快速热退火和选择腐蚀处理，从而形成NiSi/Si肖特基二极管。该方法能够极大改善利用掩膜版制备的NiSi/Si肖特基二极管的整流特性，同时具有工艺简单的优点。与同样工艺条件下但没有界面氧化层的肖特基二极管相比，二极管特性得到显著改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 界面 氧化 制备 nisi si 肖特基 二极管 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备NiSi/Si肖特基二极管的方法，其特征在于：在衬底硅片经标准RCA清洗并用稀释的HF酸去除本征氧化层后，在利用掩膜版溅射淀积金属镍电极之前，采用化学氧化方法在硅片表面生长一层硅的氧化物层；然后在金属镍电极淀积之后对硅片进行快速热退火和选择腐蚀处理，从而形成NiSi/Si肖特基二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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