[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200710006342.4 | 申请日： | 2007-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101101923A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 幡手一成 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 设于发射极电极(21)下部的n+发射极层(6)由以预定间隔配置的凸部(6b)和将这些凸部连接的本体部(6a)构成。在凸部区域中，与发射极电极相接触并以高于p基极层(5)的高浓度至少在发射极层的下方设置p+层(20)。能够改善横式结构的功率晶体管中抗寄生闸流管闭锁的能力，并能够缩短断开时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中设有：半导体衬底；在所述半导体衬底表面上形成的半导体区域；设于所述半导体区域表面的、与第1电极连接的第1半导体层区域；在所述半导体区域上从所述第1半导体层区域分离并包围所述第1半导体层区域而配置的、其导电型与所述半导体区域不同的环状的第2半导体层区域；设于所述第2半导体层区域内的、其导电型与所述第2半导体层区域不同的第3半导体层区域，含有具有环状的形状的本体部，以及与所述本体部邻接并与向远离所述第1半导体层区域的方向延伸的第2电极连接的、同时以预定的间隔配置的、各自具有比所述预定的间隔小的宽度的多个凸部区域；在所述第2半导体层区域中配置在所述第3半导体层区域的至少下方、具有比所述第2半导体层区域更高浓度的与所述第2半导体层区域同一导电型的高浓度半导体层；以及在所述第2半导体层区域表面形成用以在所述第1半导体层区域和所述第3半导体层区域之间传送电荷的沟道的栅极电极层。
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