[发明专利]一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法无效
| 申请号： | 200710003498.7 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101016164A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王漪;孙雷;韩德东;刘力锋;康晋锋;刘晓彦;张兴;韩汝琦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01G1/02 | 分类号： | C01G1/02;C01G9/02;C01G51/04;H01L21/34;C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先采用固相烧结法制备ZnO中掺入Co杂质，即将高纯的ZnO粉末和钴的氧化物粉末按一定的成份配比混合后，使用行星式球磨机在玛瑙罐中混料长时间湿法球磨，球磨料经烘干、研磨，反应烧结，再特殊退火处理，即使用一定比例的惰性气体和氢气混合气体，对掺杂的氧化锌稀磁半导体材料进行退火处理。退火后的CoxZn1－xO材料具有室温铁磁性，采用本发明可制得具有室温铁磁性的掺钴氧化锌稀磁半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 室温 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法，包括步骤如下：1)将锌氧化物和钴氧化物进行混合，采用固相反应法制备CoxZn1-xO材料；2)将CoxZn1-xO材料经过高温反应预烧结，并在含有氢气的气氛下进行退火处理，制得氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料。
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