[发明专利]形成半导体装置的隔离层的方法

摘要

本发明提供了一种形成半导体装置的隔离结构的方法，包括向半导体衬底掺杂第一类型的掺杂剂以在衬底中形成掺杂区。掩模层提供在衬底和衬底的掺杂区上。掩模层被构图以暴露衬底的隔离区，该隔离区限定有源区，该隔离区和有源区至少部分限定在掺杂区中。第二类型的掺杂剂在由隔离区限定的有源区边缘注入。半导体衬底的隔离区被蚀刻以形成具有延伸到掺杂区深度以下的深度的隔离沟槽。第三类型的掺杂剂注入到沟槽侧壁上，使得提供在隔离沟槽侧壁上的第二类型的掺杂剂从侧壁的迁移最少。该沟槽被介电层填充以形成隔离结构。

主权项

1.一种形成半导体装置的隔离结构的方法，该方法包括：在半导体衬底上进行第一离子注入工艺以控制阈值电压，第一杂质提供在所述衬底中；在所述半导体衬底上方形成硬掩模，通过所述掩模暴露隔离区；蚀刻所述半导体衬底的隔离区以形成沟槽；进行第二离子注入工艺以在所述沟槽侧壁上提供第二杂质，从而使所述第一杂质从所述沟槽的侧壁的扩散最少；和用介电层填充所述沟槽以形成隔离结构。