[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710001453.6 | 申请日： | 2007-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101030557A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 森冈博;小仓寿典;谢尔盖·皮丁 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/768;H01L27/092;H01L29/40;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有接触结构的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：导电区；第一膜和第二膜，其形成在所述导电区上方以实现为一层；以及接触电极，其穿过所述层延伸至所述导电区，并形成为用一部分接触电极代替一部分所述层，其中要被代替的这部分层或者仅由所述第一膜组成、或者仅由所述第二膜组成、或者由一部分第一膜和一部分第二膜这二者组成，并且这部分第一膜占据这部分层的大部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有接触结构的半导体器件，包括：导电区；第一膜和第二膜，其形成在所述导电区上方以实现为一层；以及接触电极，其穿过所述层延伸至所述导电区，并形成为用一部分接触电极代替一部分所述层，其中要被代替的这部分层或者仅由所述第一膜组成、或者仅由所述第二膜组成、或者由一部分第一膜和一部分第二膜这二者组成，并且这部分第一膜占据这部分层的较大部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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