[发明专利]具有电容器的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680055950.8 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101512755A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 立花宏俊 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 浦柏明;徐 恕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件，其能够防止电容器的大面积化而引起TDDB下降。在半导体衬底上形成有电容器。电容器具有以下部电极、电容器电介质膜以及上部电极的顺序层叠这些的结构。当设下部电极和上部电极经由电介质膜而相对的电容区域的面积为S，电容区域的外周线的总长度为L时，面积S为1000μm2以上，L/S为0.4μm-1以上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容器 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底，电容器，其形成在所述半导体衬底上，通过按顺序层叠下部电极、电容器电介质膜以及上部电极而构成，当设下部电极和上部电极隔着电介质膜而相对置的电容区域的面积为S，该电容区域的外周线的总长度为L时，面积S为1000μm2以上，L/S为0.4μm-1以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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