[发明专利]最小化N型掺杂物扩散的经沉积半导体结构和制造方法

摘要

在经沉积的硅中，例如磷和砷等n型掺杂物倾向于去往在沉积层时升高的所述硅的表面。当在未提供n型掺杂物的情况下在n掺杂硅上沉积第二未掺杂或p掺杂硅层时，第一厚度的此第二硅层仍倾向于包括从较低层向上扩散的非所要的n型掺杂物。当锗与所述硅合金化时，此去往表面的行为减少。在某些装置中，第二层具有显著的锗含量可能是不利的。在本发明中，沉积第一重度n掺杂半导体层(优选至少10原子％锗)，接着沉积具有极少或无n型掺杂物的硅锗封盖层，接着沉积具有极少或无n型掺杂物并少于10原子％锗的层。所述第一层和所述封盖层中的所述锗使n型掺杂物进入上方少锗层中的扩散最小化。

主权项

1.一种包含层堆叠的半导体装置，所述层堆叠包含：位于衬底上方的经沉积重度n掺杂半导体材料的第一层，所述第一层至少约50埃厚；未重度n掺杂的半导体材料的第二层，其中所述第二层的半导体材料为至少10原子％锗的硅锗合金，所述第二层至少约100埃厚，其中所述第二层位于所述第一层上方且与其接触；以及位于所述第二层上方且与其接触的未重度n掺杂的经沉积半导体材料的第三层，其中所述第三层的半导体材料为硅或少于10原子％锗的硅锗合金，其中所述第一、第二和第三层驻留在半导体装置中。