[发明专利]单晶硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200680051077.5 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101360852A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 江原幸治 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02;H01L21/322 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，是通过切克劳斯基法来提拉单晶硅晶棒，并对自该晶棒切出的晶片进行快速热处理的单晶硅晶片的制造方法，其预先对自该改变提拉速度而提拉而成的上述晶棒切出的晶片，改变热处理温度来进行快速热处理，接着进行氧化膜耐压测定，求出提拉速度及热处理温度和氧化膜耐压测定结果之间的关系，然后基于该关系，以在上述快速热处理后其径向全面可以成为N区域的方式，来决定提拉速度及热处理温度的条件，进行晶棒的提拉及快速热处理来制造硅单晶晶片。由此，可提供一种能效率良好且确实地制造单晶硅晶片的制造方法，能确保在晶片表层具有DZ层，且在晶片的基体区域形成氧析出物。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅晶片的制造方法，通过切克劳斯基法提拉单晶硅晶棒，并对自该单晶硅晶棒切出的晶片进行快速热处理，其特征为：预先对自该改变提拉速度提拉而成的上述单晶硅晶棒切出的晶片，改变热处理温度进行快速热处理，在该快速热处理后进行氧化膜耐压测定，求出上述提拉速度及上述热处理温度和上述氧化膜耐压测定结果之间的关系，然后基于该关系，以在上述快速热处理后其径向全面可以成为N区域的方式，来决定育成上述单晶硅晶棒时的提拉速度及在上述快速热处理中的热处理温度的条件，进行上述单晶硅晶棒的提拉及上述快速热处理，来制造硅单晶晶片。
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