[发明专利]横向SOI半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680048427.2 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101375402A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 泷雅人;川上昌宏;早川清春;石子雅康 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/22;H01L29/24;H01L29/20;H01L29/10;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 二极管(10)包括SOI衬底，其中堆叠有半导体衬底(20)，绝缘膜(30)和半导体层(40)。底部半导体区域(60)、中间半导体区域(53)和表面半导体区域(54)在半导体层(40)中形成。底部半导体区域(60)包括高浓度的n型杂质。中间半导体区域(53)包括低浓度的n型杂质。表面半导体区域(54)包括p型杂质。还公开了LDMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 soi 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的绝缘膜；以及在绝缘膜上形成的半导体层，所述半导体层包括：第一半导体区域，在半导体层的一部分中形成，包括第一导电类型的杂质，并与第一主电极电连接；第二半导体区域，在半导体层的另一部分中形成，与第一半导体区域分离，包括第二导电类型的杂质，并与第二主电极电连接；表面半导体区域，在第一半导体区域和第二半导体区域之间的半导体层的表面部分中形成，包括第二导电类型的杂质，并与第二主电极电连接；底部半导体区域，在第一半导体区域和第二半导体区域之间的半导体层的底部部分中形成，与表面半导体区域分离，并包括第一导电类型的杂质，以及中间半导体区域，在表面半导体区域和底部半导体区域之间的半导体层的一部分中形成，与第一半导体区域和第二半导体区域接触，并包括第一导电类型的杂质，其中底部半导体区域的杂质浓度高于中间半导体区域的杂质浓度。
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