[发明专利]半导体传感器和用于半导体传感器的传感器主体的制造方法有效

专利信息
申请号: 200680048294.9 申请日: 2006-12-20
公开(公告)号: CN101351712A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 泽井努;小森一哉 申请(专利权)人: 北陆电气工业株式会社
主分类号: G01P15/02 分类号: G01P15/02;H01L29/84
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜日新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种可以减小厚度的半导体传感器和一种制造用于半导体传感器的传感器主体的方法。规定当在中心线c中的延伸方向上测量时的重物部分5和附加重物部分3的总长度L1要短于当在中心线c的延伸方向上测量时的支撑物部分7的长度L2。重物部分5和附加重物部分3容纳在被支撑物部分7包围时所确定的空间15内。然后,确定允许重物部分5和附加重物部分3在空间15内移动的重物部分5和附加重物部分3的尺寸和形状。
搜索关键词: 半导体 传感器 用于 主体 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体传感器,包括:传感器主体,包括有配置在其中心部分内的重物部分、配置在其外周边部分内的圆柱形支撑物部分以及配置在重物部分和支撑物部分之间的膜片部分;以及附加重物部分,固定在重物部分上,使得通过重物部分中心而且在垂直于膜片部分延伸方向的方向上延伸的中心线通过附加重物部分重心;其中在中心线延伸方向上测量的重物部分和附加重物部分的总长度短于在中心线延伸方向上测量的支撑物部分长度;重物部分和附加重物部分容纳在支撑物部分所包围的空间内;以及确定允许重物部分和附加重物部分在该空间内移动的重物部分和附加重物部分的尺寸和形状。
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