[发明专利]用于半导体器件的改良湿度可靠性和增强可焊性的引线框架无效
| 申请号： | 200680044601.6 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101361181A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | J·P·特利坎普 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件具有由基体金属(105)构成的结构的引线框架，其中所述结构由芯片安放衬垫(302)和多个引线段(303)组成。覆盖基体金属的依次是基体金属上的连续镍层(201)、镍上的钯层和芯片对面的钯层(202)上的金层，其中在结构的芯片侧上的钯层(203)比芯片对面的钯层(202)更厚。半导体芯片(310)被附着到芯片安放衬垫上，并且导电连接(312)从芯片跨越到引线段。聚合封装复合物(320)覆盖所述芯片、所述连接和部分的所述引线段，但把可用于焊料回流附着的其它段部分留给外部部件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 改良 湿度 可靠性 增强 可焊性 引线 框架 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包含：引线框架，其具有由基体金属薄片构成的结构，所述结构包括芯片安放衬垫和多个引线段，所述薄片具有第一和第二表面；连续金属层，其接触第一和第二薄片表面；第一贵金属的第一层，其接触所述第一薄片表面上的金属层，所述第一层具有一厚度；所述第一贵金属的第二层，其接触所述第二薄片表面上的金属层，所述第二层具有大于所述第一层的所述厚度的厚度；第二贵金属层，其接触所述第一贵金属的所述第一层；附着到所述芯片安放衬垫的半导体芯片；所述芯片和所述引线段之间的导电连接；以及聚合封装材料，其覆盖所述芯片、所述连接和多个部分所述引线段。
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