[发明专利]互补金属氧化物半导体成像器中的有效电荷转移无效
| 申请号： | 200680038652.8 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101292514A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 理查德·A·毛里松;根纳季亚·A·阿格拉诺夫;圣权·C·洪;卡南·S·洪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H04N3/15 | 分类号： | H04N3/15 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示操作像素单元的方法，所述方法包含在用于相关联的光传感器的电荷积分周期期间，使用多个脉冲将光电荷有效地转移到晶体管转移栅极。所述像素单元可在正常动态范围模式或高动态范围(HDR)模式中以有效的转移特征进行操作。可通过操作任选的HDR晶体管或通过使施加到复位栅极的电压波动来实现所述高动态范围。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 成像 中的 有效 电荷 转移 | ||
【主权项】：
1.一种操作像素单元的方法，其包括：起始所述像素单元的积分周期，光传感器在所述积分周期期间收集光电荷；在所述积分周期期间将第一信号电平施加到所述像素单元的转移栅极，以使得第一量的光电荷从所述光传感器转移到存储区；以及在所述积分周期期间将第二信号电平施加到所述转移栅极，以使得第二量的光电荷从所述光传感器转移到所述存储区，所述第二信号电平是经脉冲的信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680038652.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：接地杆和填充有导电复合物的连接套
- 下一篇：照相透镜
