[发明专利]用于修复半导体存储器的设备和方法有效
| 申请号： | 200680032046.5 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101253576A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 克里斯·G·马丁;特洛伊·A·曼宁;布伦特·基斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于修复半导体存储器装置的设备和方法，其包括第一存储器单元阵列、第一冗余单元阵列和修复电路，所述修复电路经配置以非易失性地存储指示所述第一存储器单元阵列中的至少一个缺陷存储器单元的第一地址。第一易失性高速缓冲存储器存储对应于指示所述至少一个缺陷存储器单元的所述第一地址的第一高速缓存地址。所述修复电路将指示所述第一存储器单元阵列的所述至少一个缺陷存储器单元的所述第一地址分配给所述第一易失性高速缓冲存储器。当第一存储器存取对应于所述第一高速缓存地址时，匹配电路用来自所述第一冗余单元阵列的至少一个冗余存储器单元来取代所述第一存储器单元阵列中的所述至少一个缺陷存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 修复 半导体 存储器 设备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种修复存储器装置上的一存储器单元序列的方法，其包含：在存储器装置上非易失性编程一可编程元件群组以存储指示第一存储器单元阵列中的至少一个缺陷存储器单元的第一地址；易失性存储对应于指示所述至少一个缺陷存储器单元的所述第一地址的第一高速缓存地址；以及当第一存储器存取对应于所述第一高速缓存地址时，用至少一个冗余存储器单元取代所述至少一个缺陷存储器单元。
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