[发明专利]具有增强的容许过擦除的控制栅极方案的存储器结构无效
| 申请号： | 200680031644.0 | 申请日： | 2006-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101253572A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 妮克拉·泰莱科;维克托·恩古耶 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体存储器，且特定来说涉及非易失性或快闪存储器以及减小存储器阵列(301)中任何过擦除的存储器单元的影响的方法。当读取存储器单元(M1 231、M2 232)时，向至少一个目标存储器单元的控制栅极(CGN)施加读取电压(306)，且还向与所述目标存储器单元在同一行中的至少另一个存储器单元的控制栅极(CGN－2，CGN+2，...)施加低于过擦除的存储器单元阈值电压的负偏置电压(308)。向这些其它存储器单元施加负偏置电压使附近的单元关断，以在读取、编程或擦除操作期间隔离可能来自过擦除的存储器单元的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 容许 擦除 控制 栅极 方案 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，其包括：多个存储器单元，其布置成行和列的阵列，所述多个存储器单元中的每一者进一步包括至少一个控制栅极；多个控制栅极电路，其耦合到所述存储器单元控制栅极中的每一者；以及耦合到所述多个控制栅极电路的读取电压驱动器和耦合到所述多个控制栅极电路的负偏置电压驱动器，所述多个控制栅极电路经配置以将所述读取电压电压驱动器选择性地耦合到至少一个选定行中的至少一个目标存储器单元控制栅极，所述多个控制栅极电路经配置以将所述负偏置电压驱动器选择性地耦合到所述至少一个选定行的每一者中作为所述至少一个目标存储器单元的至少一个存储器单元控制栅极。
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