[发明专利]具有增强的容许过擦除的控制栅极方案的存储器结构

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，其包括：

多个存储器单元，其布置成行和列的阵列，所述多个存储器单元中的每一者进一步包括至少一个控制栅极；

多个控制栅极电路，其耦合到所述存储器单元控制栅极中的每一者；以及

耦合到所述多个控制栅极电路的读取电压驱动器和耦合到所述多个控制栅极电路的负偏置电压驱动器，所述多个控制栅极电路经配置以将所述读取电压电压驱动器选择性地耦合到至少一个选定行中的至少一个目标存储器单元控制栅极，所述多个控制栅极电路经配置以将所述负偏置电压驱动器选择性地耦合到所述至少一个选定行的每一者中作为所述至少一个目标存储器单元的至少一个存储器单元控制栅极。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个控制栅极电路中的每一者进一步包括控制栅极逻辑电路和控制栅极区块。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个控制栅极电路中的每一者进一步经配置以将所述负偏置电压驱动器选择性地耦合到邻近于所述目标存储器单元的至少一个存储器单元控制栅极。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个控制栅极电路中的每一者进一步经配置以将所述负偏置电压驱动器选择性地耦合到紧接于但不邻近于所述目标存储器单元的至少一个存储器单元控制栅极。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括至少一个服务读取电压驱动器。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述多个控制栅极电路中的每一者进一步经配置以将所述服务读取电压驱动器选择性地耦合到邻近于至少一个目标存储器单元的至少一个存储器单元控制栅极。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述多个控制栅极电路中的每一者进一步经配置以将所述服务读取电压驱动器选择性地耦合到邻近于且在所述至少一个选定行的每一者中作为所述至少一个目标存储器单元的至少一个存储器单元控制栅极；且

所述多个控制栅极电路中的每一者经配置以将所述负偏置电压驱动器选择性地耦合到所述至少一个选定行中的每一者中且紧接于所述至少一个目标存储器单元的至少一个存储器单元控制栅极。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括耦合到所述多个存储器单元的字线，所述字线经配置以激活或选择一行存储器单元。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述负偏置电压驱动器提供低于或小于过擦除的存储器单元的阈值电压的电压。

10.一种减小过擦除的非易失性存储器单元的影响的方法，所述方法包括：

将具有控制栅极的多个非易失性存储器单元布置成行和列的阵列；

向至少一个目标存储器单元控制栅极施加读取电压；以及

向紧接于所述至少一个目标存储器单元且与其在同一行中的至少一个存储器单元控制栅极施加负偏置电压。

11.根据权利要求10所述的方法，其中施加所述负偏置电压是施加到邻近于所述至少一个目标存储器单元的所述至少一个存储器单元控制栅极。

12.根据权利要求10所述的方法，其中向紧接于但不邻近于所述至少一个目标存储器单元的所述至少一个存储器单元控制栅极施加负偏置电压。

13.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括向邻近于所述至少一个目标存储器单元且与其在同一行中的至少另一个存储器单元控制栅极施加服务读取电压的步骤。

14.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括激活一字线以选择一行存储器单元的步骤。

15.根据权利要求10所述的方法，其中施加负偏置电压是施加低于或小于过擦除的存储器单元的阈值电压的电压。

16.根据权利要求10所述的方法，其中向至少一个存储器单元控制栅极施加负偏置电压使至少一个过擦除的存储器单元关断。