[发明专利]具有抗模糊隔离的彩色像素和形成方法无效
申请号: | 200680016825.6 | 申请日: | 2006-05-12 |
公开(公告)号: | CN101176208A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 因纳·帕特里克;约翰·拉德 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在第一像素传感器单元(188)的至少一部分和第二像素单元(188a)的至少一部分下方形成具有第一导电类型的植入区(100),以限制光电二极管收集/耗尽区的深度并限制像素的彩色响应。为了进一步减少邻近像素之间的串扰和减少模糊,在衬底中和在具有所述第一导电类型的停止植入区下方形成具有第二导电类型的抗模糊隔离区(200)。 | ||
搜索关键词: | 具有 模糊 隔离 彩色 像素 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置,其包括:具有第一导电类型的衬底;形成于所述衬底上方的至少第一和第二光电传感器,其每一者具有各自的具有第二导电类型的区以用于积聚对应于不同的各自光波长的电荷;以及位于所述第一和第二光电传感器的所述区下方的具有所述第一导电类型的至少第一和第二掺杂区,所述第一和第二掺杂区中的至少一者处于与所述第一和第二掺杂区中的另一者不同的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的