[发明专利]使用突变金属－绝缘体转变装置保护电和/或电子系统的电路以及包括该电路的电和/或电子系统无效
| 申请号： | 200680013617.0 | 申请日： | 2006-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101164166A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 金铉卓;姜光镛;蔡秉圭;金俸准;尹善真;李镕旭;金敬玉;尹斗协;林贞旭 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了使用突变金属－绝缘体转变(MIT)装置的电和/或电子系统保护电路，其能够有效除去通过电和/或电子系统的电力线或信号线接收的具有高于额定标准电压的电压的高频噪声，且该电和/或电子系统包括该电和/或电子系统保护电路。该电和/或电子系统保护电路的突变MIT装置并联连接到该电和/或电子系统，从而避免噪声。该电和/或电子系统保护电路将施加大于额定标准电压的电压时产生的大部分噪声电流向该突变MIT装置分流，因此保护该电和/或电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 突变 金属 绝缘体 转变 装置 保护 电子 系统 电路 以及 包括 | ||
【主权项】：
1.一种电和/或电子系统保护电路，包括并联连接到电和/或电子系统的突变金属-绝缘体转变(MIT)装置，以避免受噪声影响。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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