[发明专利]具有氧化物衬里沟槽的超结器件和制造具有氧化物衬里沟槽的超结器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，其包括提供具有沟槽和台面的半导体衬底。至少一个台面具有第一和第二侧壁。该方法包括用第二导电类型的掺杂剂掺杂台面的第一侧壁，并用第二导电类型的掺杂剂掺杂台面的第二侧壁。然后用第一导电类型的掺杂剂掺杂台面的第一侧壁，并用第一导电类型的掺杂剂掺杂所述至少一个台面的第二侧壁。然后至少将与所述至少一个台面相邻的沟槽用氧化物材料加上衬里，并且然后填充上半绝缘材料和绝缘材料中的一种。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有彼此反向的第一主表面和第二主表面的半导体衬底，该半导体衬底在第二主表面具有第一导电类型的重掺杂区，并在第一主表面具有第一导电类型的轻掺杂区；在所述半导体衬底中提供多个沟槽和多个台面，每个台面具有邻接沟槽和第一延伸部分，该第一延伸部分从所述第一主表面朝向所述重掺杂区延伸至第一深度位置，至少一个台面具有第一侧壁表面和第二侧壁表面，所述多个沟槽中的每一个具有底部；用第二导电类型的掺杂剂掺杂所述至少一个台面的第一侧壁表面，以形成第二导电类型的第一掺杂区；用所述第二导电类型的掺杂剂掺杂所述至少一个台面的第二侧壁表面，以形成第二导电类型的第二掺杂区；用第一导电类型的掺杂剂掺杂所述至少一个台面的第一侧壁表面，以在第一侧壁提供第一导电类型的第二掺杂区，并用第一导电类型的掺杂剂掺杂所述至少一个台面的第二侧壁表面，以在第二侧壁提供第一导电类型的第四掺杂区；至少将与所述至少一个台面相邻的沟槽用氧化物材料加上衬里；和至少将与所述至少一个台面相邻的沟槽填充上半绝缘材料和绝缘材料中的一种。