[发明专利]具有氧化物衬里沟槽的超结器件和制造具有氧化物衬里沟槽的超结器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有彼此反向的第一主表面和第二主表面的半导体衬底，该半导体衬底在第二主表面具有第一导电类型的重掺杂区，并在第一主表面具有第一导电类型的轻掺杂区；

在所述半导体衬底中提供多个沟槽和多个台面，每个台面具有邻接沟槽和第一延伸部分，该第一延伸部分从所述第一主表面朝向所述重掺杂区延伸至第一深度位置，至少一个台面具有第一侧壁表面和第二侧壁表面，所述多个沟槽中的每一个具有底部；

用第二导电类型的掺杂剂掺杂所述至少一个台面的第一侧壁表面，以形成第二导电类型的第一掺杂区；

用所述第二导电类型的掺杂剂掺杂所述至少一个台面的第二侧壁表面，以形成第二导电类型的第二掺杂区；

用第一导电类型的掺杂剂掺杂所述至少一个台面的第一侧壁表面，以在第一侧壁提供第一导电类型的第二掺杂区，并用第一导电类型的掺杂剂掺杂所述至少一个台面的第二侧壁表面，以在第二侧壁提供第一导电类型的第四掺杂区；

至少将与所述至少一个台面相邻的沟槽用氧化物材料加上衬里；和

至少将与所述至少一个台面相邻的沟槽填充上半绝缘材料和绝缘材料中的一种。

2.根据权利要求1的方法，其中通过低压(LP)化学汽相淀积(CVD)四乙基原硅酸盐(TEOS)和旋涂玻璃(SOG)淀积中的一种形成氧化物衬里。

3.根据权利要求1的方法，还包括：

在加氧化物衬里的步骤之后，在所述沟槽的底部和各个包括第一和第二侧壁的所述台面之上形成未掺杂多晶硅层。

4.根据权利要求1的方法，其中用半绝缘材料和绝缘材料中的一种填充多个沟槽的步骤包括：用未掺杂多晶硅、掺杂多晶硅、掺杂氧化物、未掺杂氧化物、氮化硅和半绝缘多晶硅(SIPOS)中的至少一种填充所述多个沟槽。

5.根据权利要求1的方法，其中所述第一侧壁表面具有相对于所述第一主表面保持的第一预定倾角，所述第二侧壁表面具有相对于所述第一主表面保持的第二预定倾角。

6.根据权利要求1的方法，其中所述第一侧壁表面和第二侧壁表面通常相对于所述第一主表面垂直。

7.根据权利要求1的方法，其中利用等离子蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)、溅射蚀刻、汽相蚀刻和化学蚀刻中的一种或多种形成所述多个沟槽。

8.根据权利要求1的方法，其中以第一预定注入角度执行将第二导电类型的掺杂剂注入到所述第一侧壁表面中。

9.根据权利要求1的方法，其中以第二预定注入角度执行将第二导电类型的掺杂剂掺杂到所述第二侧壁表面中。

10.根据权利要求1的方法，其中以第一预定注入角度执行将第一导电类型的掺杂剂掺杂到所述第一侧壁表面中。

11.根据权利要求1的方法，其中以第二预定注入角度执行将第一导电类型的掺杂剂掺杂到所述第二侧壁表面中。

12.根据权利要求1的方法，还包括：

在掺杂第一导电类型的掺杂剂之前将第二导电类型的掺杂剂扩散到所述至少一个台面中。

13.一种通过权利要求1的方法形成的半导体。