[发明专利]使用金属/金属氮化物双层结构作为自对准强按比例缩放CMOS器件中的栅电极有效
| 申请号： | 200680013110.5 | 申请日： | 2006-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101421839A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 艾德华·A.·卡蒂尔;马修·W.·库贝尔;布鲁斯·B.·多里斯;拉加劳·亚米;金永锡;巴里·P.·林德尔;维加伊·纳拉亚南;瓦姆西·K.·帕鲁丘里;凯斯·洸·汉·黄 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及CMOS结构，其包括位于半导体衬底一个区域上的至少一个nMOS器件；以及位于半导体衬底另一个区域上的至少一个pMOS器件。根据本发明，至少一个nMOS器件包括含有栅电介质的栅叠层、具有小于4.2eV的功函数的低功函数元素金属、原位金属性罩层和多晶硅封装层；至少一个pMOS器件包括含有栅电介质的栅叠层、具有大于4.9eV的功函数的高功函数元素金属、金属性罩层和多晶硅封装层。本发明还提供制造这种CMOS结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 金属 氮化物 双层 结构 作为 对准 按比例 缩放 cmos 器件 中的 电极 | ||
【主权项】：
1. 一种互补金属氧化物半导体(CMOS)结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的一个区域上的至少一个nMOS器件；以及位于所述半导体衬底的另一个区域上的至少一个pMOS器件，其中，所述至少一个nMOS器件包括至少含有具有小于4.2eV的功函数的低功函数元素金属的栅叠层和原位金属性罩层；所述至少一个pMOS器件包括至少含有具有大于4.9eV的功函数的高功函数元素金属的栅叠层和金属性罩层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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