[发明专利]金属硅酸盐－氧化硅基多形态荧光体和发光装置有效
| 申请号： | 200680008866.0 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101142683A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 田永驰 | 申请（专利权）人： | 沙诺夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/26;C09K11/55;C09K11/59;C09K11/54;C09K11/62;C09K11/64;C09K11/79;C09K11/57;C09K11/58;C09K11/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明特别提供了依据下式的荧光体：[(BvSiO3)x(Mv2SiO3)y(Tv2(SiO3)3)z]m·(SiO2)n：Rε，X(I)，其中，x、y和z为任何值，其中x+y+z＝1；Bv为一种或多种二价碱土金属离子，Mv为一种或多种一价碱金属离子，Tv为一种或多种三价金属离子；Rε为一种或多种选自Eu2+或Mn2+离子的激活剂，X为一种或多种卤化物，m为1或0，条件是如果m为1并且提供对支持有用发光有效的氧化硅量，则n大于3，或者如果m为0，则n为1。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 硅酸盐 氧化 基多 形态 荧光 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，其包含：产生包括300nm或更大波长的光输出的半导体光源；和位于28光源和该装置的光输出之间的波长管理器，其包含依据下式的荧光体：[(BvSiO3)x(Mv2SiO3)y(Tv2(SiO3)3)z]m·(SiO2)n:Rε，X (I)其中：x、y和z为任何值，其中x+y+z＝1；Bv为一种或多种二价碱土金属离子；Mv为一种或多种一价碱金属离子；Tv为一种或多种三价金属离子；Rε为一种或多种选自Eu2+或Mn2+的激活剂；x为一种或多种卤化物；和m为1或0；条件是：如果m为1并且提供对支持有用发光有效的氧化硅量，则n大于3；或如果m＝0，则n为1。
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