[发明专利]金属硅酸盐－氧化硅基多形态荧光体和发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其包含：

产生包括300nm或更大波长的光输出的半导体光源；和

位于28光源和该装置的光输出之间的波长管理器，其包含依据下式的荧光体：

[(BvSiO₃)_x(Mv₂SiO₃)_y(Tv₂(SiO₃)₃)_z]_m·(SiO₂)_n:Rε，X    (I)

其中：

x、y和z为任何值，其中x+y+z＝1；

Bv为一种或多种二价碱土金属离子；

Mv为一种或多种一价碱金属离子；

Tv为一种或多种三价金属离子；

Rε为一种或多种选自Eu²⁺或Mn²⁺的激活剂；

x为一种或多种卤化物；和

m为1或0；条件是：

如果m为1并且提供对支持有用发光有效的氧化硅量，则n大于3；或

如果m＝0，则n为1。

2.权利要求1的发光装置，其中Mv包含一种或多种选自Li、Na或K的离子。

3.权利要求1的发光装置，其中Bv包含一种或多种二价碱土金属离子。

4.权利要求2的发光装置，其中Bv包含一种或多种Ca或Sr离子。

5.权利要求1的发光装置，其中Bv包含一种或多种Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Cd或Hg离子。

6.权利要求1的发光装置，其中Tv包含一种或多种Al、Ga、In、Sc、Y或La离子。

7.权利要求1的发光装置，其中Rε包含Eu²⁺离子。

8.权利要求1的发光装置，其中Rε包含Mn²⁺离子。

9.权利要求1的发光装置，其中Rε包含Eu²⁺和Mn²⁺离子。

10.权利要求1的发光装置，其中波长管理器包含一种或多种另外的荧光体，其中该一种或多种另外的荧光体调节由该装置产生的光。

11.权利要求10的发光装置，其中波长管理器将光输出改变为白光。

12.根据权利要求1的发光装置，其中半导体光源包括含有夹在p-型包覆层和n-型包覆层之间的发光层的量子阱结构。

13.根据权利要求12的发光装置，其中：

p-型包覆层由Al_qGa_1-qN形成，其中0＜q＜1；

n-型包覆层由Al_rGa_1-rN形成，其中0≤r＜1；且

任选地，p-型包覆层具有大于n-型包覆层带隙的带隙。

14.根据权利要求1的发光装置，其中半导体光源还包括含有铟和一个或多个量子阱结构的发光层。

15.根据权利要求14的发光装置，其中：

任选地，量子阱结构包含一个或多个InGaN阱层和一个或多个GaN阻挡层；

任选地，量子阱结构包含一个或多个InGaN阱层和一个或多个AlGaN阻挡层；

任选地，量子阱结构包含一个或多个AlInGaN阱层和一个或多个AlInGaN阻挡层；

该阻挡层具有大于阱层带隙能量的带隙能量；和

其中任选地，阱层具有不大于100埃的厚度。

16.根据权利要求1的发光装置，其中半导体光源包含一个或多个量子阱结构。

17.根据权利要求16的发光装置，其中量子阱结构为单量子阱结构。

18.根据权利要求16的发光装置，其中量子阱结构为多量子阱结构。

19.根据权利要求1的发光装置，其中半导体光源在衬底上包含多于一个的发光二极管(LED)。