[发明专利]改性多孔质二氧化硅膜的制造方法、由该制造方法得到的改性多孔质二氧化硅膜、及含有该改性多孔质二氧化硅膜的半导体装置有效
| 申请号： | 200680005022.0 | 申请日： | 2006-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101120436A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 藤井宣年;高村一夫;三好秀典;田中博文;大池俊辅;村上雅美;窪田武司;藏野义人 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科;三井化学株式会社;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C01B33/12;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 改性 多孔 二氧化硅 制造 方法 得到 含有 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.改性多孔质二氧化硅膜的制造方法，其特征在于，对于多孔质二氧化硅膜，在减压下使具有至少各1个的疏水性基团和可聚合性基团的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成聚合物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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