[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 200680000556.4 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101019285A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 大矢昌辉 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：由Ⅲ族氮化物半导体构成的有源层(105)；电流阻挡层(108)，其在有源层(105)上形成且具有条形孔(108a)；超晶格层(p型层109)，其掩埋孔(108a)并且由包括Al的Ⅲ族氮化物半导体构成；和包层(110)，其在超晶格层上形成并且由包括Al的Ⅲ族氮化物半导体构成。当超晶格层的平均Al组分比表示为x1并且包层(110)的平均Al组分比表示为x2时，其表示为x1＜x2。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体发光器件，包括：由III族氮化物半导体构成的有源层；电流阻挡层，其在所述有源层上形成并具有条形孔；超晶格层，其掩埋所述孔并且由包括Al的III族氮化物半导体构成；和包层，其在所述超晶格层上形成并且由包括Al的III族氮化物半导体构成，其中，当所述超晶格层的平均Al组分比表示为x1并且所述包层的平均Al组分比表示为x2时，其表示为x1＜x2。
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