[发明专利]高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、外延衬底、制造外延衬底的方法以及制造Ⅲ族氮化物晶体管的方法

摘要

提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度N_C1是4×10¹⁷cm^－3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度N_C2小于4×10¹⁶cm^－3。

主权项

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于布置有：由氮化镓构成的支撑衬底；缓冲层，由第一氮化镓半导体构成，设置在所述支撑衬底上；沟道层，由第二氮化镓半导体构成，设置在所述缓冲层上；半导体层，由第三氮化镓半导体构成，设置在所述缓冲层上，所述第三氮化镓半导体具有比所述第二氮化镓半导体更宽的带隙；以及设置在所述半导体层上的栅电极、源电极和漏电极；其中所述第一氮化镓半导体的碳浓度是4×1017cm-3或以上，以及所述第二氮化镓半导体的碳浓度小于4×1016cm-3。