[实用新型]大功率发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 200620048104.0 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN200972865Y | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 占贤武;孟世界 | 申请（专利权）人： | 宁波安迪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/28;H01L23/12 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 315400浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率发光二极管封装结构，包括一具有一支架的基座、至少一发光二极管芯片，一用于连接外电源的电连接装置，所述发光二极管芯片与该电连接装置电性连接，其特征在于：所述支架具有由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种大功率发光二极管封装结构，包括一具有一支架的基座、至少一发光二极管芯片，一用于连接外电源的电连接装置，所述发光二极管芯片与该电连接装置电性连接，其特征在于：所述支架具有由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。
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