[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 200610172362.4 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1988038A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 铃木利一;山上由展;石仓聪 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/413 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置，具有：配置成矩阵状的字线和位线；和配置在所述字线与位线的交差点的多个存储单元，设置对供给到配置在同一所述位线上的存储单元的低数据保持电源的电位进行控制的位线预充电电路。并且，在写入动作时，通过位线预充电电路，将选择的位线所对应的存储单元的低数据保持电源的电位，控制为比非选择的位线所对应的存储单元的低数据保持电源高的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，其中具备：配置成矩阵状的字线和位线；配置在所述字线与位线的交差点的多个存储单元；和低数据保持电源控制电路，对供给到配置在同一所述位线上的存储单元的低数据保持电源的电位进行控制，所述多个存储单元的每一个具有将高数据和低数据成对保持的、并被交叉耦合连接的两个反相器电路，所述低数据保持电源控制电路构成为：在写入动作时，将被选择的位线所对应的存储单元的低数据保持电源的电位，控制为比非选择的位线所对应的存储单元的低数据保持电源高的电位。
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