[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610171456.X | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1992457A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 别所靖之;野村康彦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体激光装置元件(20)，具备在光出射面(5a)上形成具有由AlN构成的电介质层(5b)的氮化物系半导体激光元件(5)和气密密封氮化物系半导体激光元件(5)的封装部(1)。并且，封装部(1)内的气氛是水分浓度为5000ppm以下的含氮气氛。通过调整封装部(1)内的气氛，能够抑制由在半导体激光元件的端面形成的由氮化物构成的电介质层的变质引起的输出的降低和可靠性的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，具备：具有至少在光出射面上形成的由氮化物构成的电介质层的半导体激光元件；和气密密封所述半导体激光元件的封装部，其中，所述封装部内的气氛是水分浓度为5000ppm以下的含氮气氛。
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