[发明专利]静态随机存储器及其制造方法

摘要

一种SRAM器件包括：由N沟道MOS晶体管构成的第一和第二存取晶体管；由N沟道MOS晶体管构成的第一和第二驱动晶体管；以及起上拉器件作用的第一和第二P沟道薄膜晶体管；阱，其通过在该半导体衬底中注入与半导体衬底的导电性相反的掺杂剂而形成；第一有源区，该第一存取晶体管的漏极和第一驱动晶体管的漏极形成于第一有源区中；第二有源区，该第二存取晶体管的漏极和第二驱动晶体管的漏极形成于第二有源区中；以及凹槽线，其用于使该第一有源区和该第二有源区彼此隔离，其中该第一存取晶体管、该第一驱动晶体管、该第一P沟道薄膜晶体管基于该凹槽线的中点相对该第二存取晶体管、该第二驱动晶体管、以及该第二P沟道薄膜晶体管点对称地形成。

主权项

1.一种SRAM器件，其包括：由N沟道MOS晶体管构成的第一存取晶体管和第二存取晶体管；由N沟道MOS晶体管构成的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管；以及起上拉器件作用的第一P沟道薄膜晶体管和第二P沟道薄膜晶体管，所述的SRAM器件还包括：阱，其通过在该半导体衬底中注入与半导体衬底的导电性相反的掺杂剂而形成；第一有源区，该第一存取晶体管的漏极和第一驱动晶体管的漏极形成于该第一有源区中；第二有源区，该第二存取晶体管的漏极和第二驱动晶体管的漏极形成于该第二有源区中；以及凹槽线，用于使该第一有源区和该第二有源区彼此隔离，其中，该第一存取晶体管、该第一驱动晶体管、该第一P沟道薄膜晶体管基于该凹槽线的中点相对于该第二存取晶体管、该第二驱动晶体管、以及该第二P沟道薄膜晶体管点对称地形成。