[发明专利]晶片处理室的内衬及包含该内衬的晶片处理室有效
| 申请号： | 200610169565.8 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207003A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 林盛 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/67;C23C16/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片处理室的内衬及包含该内衬的晶片处理室，包括内侧壁、外侧壁，内侧壁与外侧壁通过屏蔽板连接，所述的屏蔽板与侧壁倾斜连接。斜面比平面面积有明显的增大，所以斜面结构可以增加屏蔽孔的数量或面积，即增加气流通过面积。可以根据需要选择屏蔽板的倾斜角度，及屏蔽孔的方向，从而达到改善晶片表面气体流场均匀性的目的。主要适用于半导体晶片处理室，也适用于对其它类似的腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 内衬 包含 | ||
【主权项】：
1.一种晶片处理室的内衬，包括内侧壁、外侧壁，内侧壁与外侧壁通过屏蔽板连接，其特征在于，所述的屏蔽板与侧壁倾斜连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
