[发明专利]异质结双极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610169050.8 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1988172A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 村山启一;田村彰良;宫本裕孝;宫岛贤一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供可以再现性良好且高成品率地制造的、在抗击穿性上优良的异质结双极晶体管，其特征在于，具备辅助集电极层、集电极层、以及具有比构成基极层的半导体还大的能带间隙的发射极层；集电极层具有形成在辅助集电极层上的第1集电极层、形成在第1集电极层上的第2集电极层、以及形成在第2集电极层和基极层之间的第3集电极层；构成第1集电极层的半导体不同于构成第3集电极层以及第2集电极层的半导体；第2集电极层的杂质浓度比辅助集电极层的杂质浓度还低，且比第3集电极层的杂质浓度还高。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，包括：辅助集电极层；集电极层，形成在上述辅助集电极层上；基极层，形成在上述集电极层上；以及发射极层，形成在上述基极层上，由具有比构成上述基极层的半导体还大的能带间隙的半导体构成；上述集电极层具有形成在上述辅助集电极层上的第1集电极层、形成在上述第1集电极层上的第2集电极层、以及形成在上述第2集电极层和上述基极层之间的第3集电极层；构成上述第1集电极层的半导体不同于构成上述第3集电极层以及第2集电极层的半导体；上述第2集电极层的杂质浓度比上述辅助集电极层的杂质浓度还低，且比上述第3集电极层的杂质浓度还高。
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