[发明专利]一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器有效
| 申请号： | 200610165116.6 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202532A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周盛华;吴南健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03B29/00 | 分类号： | H03B29/00;H03F3/45;H03K3/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及噪声发生器技术领域，公开了一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器，包括：偏置电路，用于为双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜和差分放大器提供直流工作点；双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜，用于将微小的噪声电流信号转换放大成较大的差分电压信号输出给差分放大器；差分放大器，用于将双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜输入的差分双端信号转换为单端信号，并将该单端信号放大输出。利用本发明，采用广泛使用的CMOS工艺制作，大大降低了噪声发生器的功耗，很好地解决了即使是几μW的功耗都会缩短无源标签工作距离的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 金属 氧化 半导体 噪声 发生器 | ||
【主权项】：
1.一种互补式金属氧化层半导体CMOS噪声发生器，其特征在于，该噪声发生器包括：偏置电路，用于为双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜和差分放大器提供直流工作点；双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜，用于微小的噪声电流发生和将微小的噪声电流信号转换放大成较大的差分电压信号输出给差分放大器；差分放大器，用于将双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜输入的差分双端信号转换为单端信号，并将该单端信号放大输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610165116.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗糖尿病的中药组合物
- 下一篇：脂肪酶用作猪饲料添加剂
