[发明专利]主动式有机发光二极管的像素结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610164509.5 申请日: 2006-12-06
公开(公告)号: CN1964065A 公开(公告)日: 2007-05-16
发明(设计)人: 许先志;林志远;游伟盛;卢毅君;许淑卿 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/82;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 主动式有机发光二极管的像素结构及其制造方法。该方法包括:在一基板上形成一有机发光二极管,包括一透明电极、一有机发光层及一反射电极,有机发光层位于透明电极及反射电极之间;以及在所述基板上方形成至少一开关薄膜晶体管、至少一驱动薄膜晶体管、一扫描配线、一数据配线及一储存电容器,开关薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极及一第一漏极,第一栅极耦接至扫描配线,第一源极耦接数据配线,驱动薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极及一第二漏极,第二栅极耦接至第一漏极,储存电容器与第一漏极及第二栅极电性连接,第二漏极耦接至反射电极。本发明可增加开口率,避免透明电极的工艺破坏有机发光层,并保持有机发光二极管的透光率。
搜索关键词: 主动 有机 发光二极管 像素 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种主动式有机发光二极管的像素结构的制造方法,其特征在于,该方法包括:(a)在一基板上形成一有机发光二极管,包括一透明电极、一有机发光层及一反射电极,该有机发光层位于该透明电极及该反射电极之间;以及(b)在所述基板上方形成至少一开关薄膜晶体管、至少一驱动薄膜晶体管、一扫描配线、一数据配线及一储存电容器,该开关薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极及一第一漏极,该第一栅极耦接至该扫描配线,该第一源极耦接至该数据配线,该驱动薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极及一第二漏极,该第二栅极耦接至该第一漏极,该储存电容器与该第一漏极及该第二栅极电性连接,该第二漏极耦接至所述反射电极。
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