[发明专利]主动式有机发光二极管的像素结构及其制造方法有效
申请号: | 200610164509.5 | 申请日: | 2006-12-06 |
公开(公告)号: | CN1964065A | 公开(公告)日: | 2007-05-16 |
发明(设计)人: | 许先志;林志远;游伟盛;卢毅君;许淑卿 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 主动式有机发光二极管的像素结构及其制造方法。该方法包括:在一基板上形成一有机发光二极管,包括一透明电极、一有机发光层及一反射电极,有机发光层位于透明电极及反射电极之间;以及在所述基板上方形成至少一开关薄膜晶体管、至少一驱动薄膜晶体管、一扫描配线、一数据配线及一储存电容器,开关薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极及一第一漏极,第一栅极耦接至扫描配线,第一源极耦接数据配线,驱动薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极及一第二漏极,第二栅极耦接至第一漏极,储存电容器与第一漏极及第二栅极电性连接,第二漏极耦接至反射电极。本发明可增加开口率,避免透明电极的工艺破坏有机发光层,并保持有机发光二极管的透光率。 | ||
搜索关键词: | 主动 有机 发光二极管 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种主动式有机发光二极管的像素结构的制造方法,其特征在于,该方法包括:(a)在一基板上形成一有机发光二极管,包括一透明电极、一有机发光层及一反射电极,该有机发光层位于该透明电极及该反射电极之间;以及(b)在所述基板上方形成至少一开关薄膜晶体管、至少一驱动薄膜晶体管、一扫描配线、一数据配线及一储存电容器,该开关薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极及一第一漏极,该第一栅极耦接至该扫描配线,该第一源极耦接至该数据配线,该驱动薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极及一第二漏极,该第二栅极耦接至该第一漏极,该储存电容器与该第一漏极及该第二栅极电性连接,该第二漏极耦接至所述反射电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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