[发明专利]用于阈值压控相变随机存取存储器的编程方法无效
| 申请号： | 200610164044.3 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101022120A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 徐东硕;李殷洪;卢振瑞 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;H01L21/82;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种用于由阈值电压控制的相变随机存取存储器(PRAM)的编程方法，包括：利用编程来确定硫族化合物材料的无定形状态，从而形成具有与逻辑高和逻辑低相对应的阈值电压的编程区域；以及在编程期间控制编程脉冲的后沿，从而控制硫族化合物材料的淬火速度，以便调整硫族化合物材料的阈值电压。因此，与逻辑低或逻辑高相对应的编程脉冲能够具有均匀的幅度，而不管相应的逻辑电平为何。结果，PRAM器件的可靠性能够得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 阈值 相变 随机存取存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于相变随机存取存储器(PRAM)的编程方法，包括：利用编程来确定硫族化合物材料的无定形状态，从而形成具有与逻辑高和逻辑低相对应的阈值电压的编程区域；以及在编程期间临时控制编程脉冲的后沿，从而控制硫族化合物材料的淬火速度，以便调整硫族化合物材料的阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
