[发明专利]具有经减小的开关电阻和更低的制造成本的电流限制双向MOSFET开关有效
| 申请号： | 200610163979.X | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1980059A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张艾伦;韦志南 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H01L29/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 一种基于开关来控制MOSFET的电路和方法，该MOSFET基开关包括两个背靠背FET，以便在OFF状态不考虑该开关两端的电压差的极性阻断电流。该MOSFET基开关进一步具有通过检测流过该两个MOSFET开关中的一个开关的电流实现的内置的电流限制功能。另外，该双向电流限制开关进一步包括控制共漏或共源结构的P型和N型FET所需的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 开关 电阻 制造 成本 电流 限制 双向 mosfet | ||
【主权项】：
1、一种电流限制双向开关，其特征在于，该电流限制双向开关包括：用于在OFF状态不考虑施加到所述双向开关的电压极性切断电流的两个背靠背的场效应晶体管，其中所述两个背靠背FET晶体管中的一个晶体管进一步具有传感线性电阻的功能；和用于检测和限制具有所述传感线性电阻功能的所述背靠背FET晶体管中的所述一个晶体管两端的电压的电流限制电路。
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