[发明专利]线型半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种高性能线型半导体器件及其制造的经济方法。该线型半导体器件包括半导体衬底、至少一个半导体线、公共栅极电极和栅极绝缘层。该半导体衬底包括体、突出于该体之上的一对支承柱、以及突出于该体之上并具有连接到该支承柱对的端部的至少一个鳍。该至少一个半导体线形成为与所述至少一个鳍分隔开且具有连接到所述支承柱对的端部。该公共栅极电极形成为包围所述至少一个半导体线的表面。该栅极绝缘层置于所述至少一个半导体线与所述公共栅极电极之间。

主权项

1.一种线型半导体器件，包括：半导体衬底，包括体、突出于该体之上的一对支承柱、以及突出于该体之上且具有连接到所述支承柱对的端部的至少一个鳍；至少一个半导体线，其形成为与所述至少一个鳍分隔开且具有连接到所述支承柱对的端部；公共栅极电极，形成为包围所述至少一个半导体线的表面；以及栅极绝缘层，置于所述至少一个半导体线与所述公共栅极电极之间。