[发明专利]电容器及其制造方法、以及包含该电容器的半导体器件有效
| 申请号： | 200610163017.4 | 申请日： | 2003-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1964077A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 山岸康男;盐贺健司;约翰·D.·班尼基;栗原和明 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L25/00;H01L21/02;H01G4/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种电容器及其制造方法和包含该电容器的半导体器件。其中，所述电容器包括：介电膜；形成在所述介电膜的第一主表面上的第一电极膜；形成在所述介电膜的第二主表面上的第二电极膜；从所述第一电极膜延伸到由所述介电膜和所述第一和第二电极膜所形成的叠层结构的第一侧面的第一互连部分；以及从所述第二电极膜延伸到所述第一侧面的第二互连部分，形成在所述叠层结构的第二侧面上的树脂层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 以及 包含 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，包括：介电膜；形成在所述介电膜的第一主表面上的第一电极膜；形成在所述介电膜的第二主表面上的第二电极膜；从所述第一电极膜延伸到由所述介电膜和所述第一和第二电极膜所形成的叠层结构的第一侧面的第一互连部分；以及从所述第二电极膜延伸到所述第一侧面的第二互连部分，形成在所述叠层结构的第二侧面上的树脂层。
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