[发明专利]用二氟化氙选择性蚀刻氮化钛无效
| 申请号： | 200610162431.3 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101192508A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴定军;E·J·小卡瓦克基 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3213;C23C16/00;B08B7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;段晓玲 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于从常见于半导体沉积室装置和工具中的二氧化硅(石英)和SiN表面选择性蚀刻TiN的改进方法。在该方法中，其上具有TiN的SiO2或者SiN表面和XeF2在接触区中接触，从而选择性地将TiN转变成挥发性物质，然后从所述接触区去除所述挥发性物质。XeF2可以通过Xe和氟化合物的反应而预先形成或者原位形成。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 选择性 蚀刻 氮化 | ||
【主权项】：
1.用于从含有二氧化硅或者氮化硅的表面选择性蚀刻氮化钛的方法，包括以下步骤：将所述含有二氧化硅或者氮化硅的表面和含有二氟化氙的蚀刻剂气体在接触区中接触，从而在所述二氧化硅或者氮化硅转变成挥发性组分之前优先将所述氮化钛选择性转变成挥发性物质；和从所述接触区去除所述挥发性物质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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