[发明专利]晶片级芯片封装工艺

摘要

一种晶片级芯片封装工艺，其包括下列步骤：首先，提供具有一芯片密合层以及一透光层的一透光基板。然后，切割芯片密合层，以形成一预定深度的第一凹槽，并形成一胶体于芯片密合层上。接着，提供具有一背面以及一有源表面的一晶片，并将透光基板配置于晶片的有源表面上，而芯片密合层是由胶体以接合于有源表面。接着，切割透光层，以形成一预定深度的第二凹槽，其中第二凹槽对应于第一凹槽。接着，再切割晶片的背面，以形成一预定深度的第三凹槽，而第三凹槽亦是对应于第一凹槽。之后，单颗化晶片及透光基板，以形成多个芯片封装结构。

主权项

1.一种晶片级芯片封装工艺，包括下列步骤：提供一透光基板，该透光基板具有一芯片密合层以及一透光层；切割该芯片密合层，以形成一预定深度的第一凹槽；形成一胶体于该芯片密合层上；提供一晶片，该晶片具有一背面以及一有源表面；配置该透光基板于该晶片的该有源表面上，而该芯片密合层以该胶体接合于该有源表面；切割该透光层，以形成一预定深度的第二凹槽，该第二凹槽对应于该第一凹槽；切割该晶片的该背面，以形成一预定深度的第三凹槽，该第三凹槽对应于该第一凹槽；以及单颗化该晶片及该透光基板，以形成多数个芯片封装结构。