[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 200610159934.5 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1941444A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 今野泰一郎;新井优洋;饭塚和幸 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛松生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供除了高亮度和低驱动电压之外，能够抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成的发光部；在所述发光部上形成的、添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂剂的As系接触层；在所述接触层7上形成的、由金属氧化物材料构成的电流扩展层；其中，在所述接触层和所述p型包覆层之间或者在所述p型包覆层中，形成了由V族元素的主要成分为P(磷)的未掺杂的III/V族半导体所构成的缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.半导体发光元件，该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的发光部，该发光部至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成；在所述发光部上形成的As系接触层，该接触层被添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂剂；在所述接触层上形成的电流扩展层，该电流扩展层由金属氧化物材料的透明导电膜构成；其特征是，在所述接触层和所述p型包覆层之间或者在所述p型包覆层中，形成了由V族元素的主要成分为P(磷)的未掺杂的III/V族半导体构成的缓冲层。
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