[发明专利]一种制备铝/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的方法

摘要

本发明公开的Al/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的制备方法，先采用真空热蒸发法在基板上沉积Al膜，然后在同一反应室中采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法在Al膜上再沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。经过热处理，Al膜诱导非晶硅碳合金薄膜晶化。本发明制备方法简单，选用硅烷和甲烷作为反应气源，而无需采用昂贵的SiC晶体作为原料，且成分可以通过设定气体比例来控制；选用普通玻片、石英玻璃或Si片作为基板，可满足各种需求；采用射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜结构有序程度较高，薄膜质量较好，在Al的诱导下有利于非晶硅碳薄膜结晶性能提高。

主权项

1.一种制备铝/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的方法，步骤如下：将基板清洗后放入热蒸发/电感耦合等离子体增强化学气相沉积装置的反应室中，将Al粉置于钼舟中放在反应室的蒸发电极上，反应室真空度抽至3×10-2～2×10-3Pa，加热基板，使基板温度为150～300℃，先真空热蒸发Al，在基板上沉积一层Al膜，然后以用H2稀释至体积浓度为5～20％的SiH4和体积浓度为10～40％的CH4气体为反应气源，该二种气源分别由流量计控制输入装置的缓冲室，CH4/(CH4+SiH4)摩尔比范围为0～1，二种气源在缓冲室充分混合后以流量15～50sccm引入真空反应室中，在2～10Pa压力，射频功率50W～300W下，产生辉光进行反应，在Al膜上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜，复合薄膜沉积结束后，在N2氛围保护下于400～600℃温度退火至少10分钟。