[发明专利]相变化存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200610154300.0 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101150172A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 许宏辉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包括：基底；具有第一开口的第一介电层形成在该基底之上；第一电极形成在该第一开口内并填满该第一开口；柱状第二介电层直接形成在该第一电极之上；第一导电层形成在该柱状第二介电层的侧壁上，并与该第一电极电连接；第三介电层完全覆盖该第一电极及包覆该第一导电层的侧壁，并露出该第一导电层的上表面；相变层形成在该第三介电层之上并与该第一导电层之的表面直接接触；第四介电层形成在该第三介电层和该相变层之上，其中该第四介电层具有第二开口露出该相变层的上表面；第二导电层形成在该第二开口内并填满该第二开口，并与该相变层电连接；并且第二电极与该第二导电层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储器，包括：基底；具有第一开口的第一介电层形成在该基底之上；第一电极形成在该第一开口内并填满该第一开口；第二介电层形成在该第一电极之上；第一导电层形成在该第二介电层的侧壁上，并与该第一电极电连接；第三介电层完全覆盖该第一电极及包覆该第一导电层的侧壁，并露出该第一导电层的上表面；相变层形成在该第三介电层之上并与该第一导电层的上表面接触；第四介电层形成在该第三介电层和该相变层之上，其中该第四介电层具有第二开口露出该相变层的上表面；第二导电层形成在该第二开口内并填满该第二开口，并与该相变层电连接；和第二电极与该第二导电层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司，未经财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610154300.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：回流冷凝器
- 下一篇：具有控制光源启闭的双光源鼠标及其光源启闭控制的方法
